Vishay Intertechnology 650 VE 시리즈 전력 MOSFET은 업계 최저 RDS(ON)*Qg 및 RDS(ON)*Co(er) FOM을 제공합니다.

4세대 장치는 높은 전력 정격과 밀도를 구현하는 동시에 전도 및 스위칭 손실을 줄여 효율성을 높입니다.

펜실베니아주 말번, Aug. 28, 2023 (GLOBE NEWSWIRE) -- Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE: VSH)는 오늘 통신, 산업, 산업 분야에 높은 효율과 전력 밀도를 제공하는 새로운 4세대 650 VE 시리즈 전력 MOSFET을 출시했습니다. 및 컴퓨팅 애플리케이션. 이전 세대 장치에 비해 Vishay Siliconix n채널 SiHP054N65E는 온 저항을 48.2% 줄이면서 59% 더 낮은 저항 시간 게이트 충전을 제공합니다. 이는 전력 변환 애플리케이션에 사용되는 650V MOSFET의 핵심 성능 지수(FOM)입니다.

Vishay는 최신 하이테크 장비에 전력을 공급하는 데 필요한 고전압 입력부터 저전압 출력까지 전력 변환 프로세스의 모든 단계를 지원하는 광범위한 MOSFET 기술 라인을 제공합니다. 4세대 650 VE 시리즈 제품군의 SiHP054N65E 및 기타 장치를 통해 회사는 전력 시스템 아키텍처의 첫 번째 단계 중 두 가지인 역률 보정(PFC)과 후속 DC/C에서 효율성과 전력 밀도 개선에 대한 요구를 해결하고 있습니다. DC 컨버터 블록. 일반적인 애플리케이션에는 서버, 엣지 컴퓨팅, 데이터 스토리지가 포함됩니다. UPS; 고강도 방전(HID) 램프 및 형광 안정기 조명; 태양광 인버터; 용접 장비; 유도 가열; 모터 드라이브; 그리고 배터리 충전기.

Vishay의 최신 에너지 효율적인 E 시리즈 초접합 기술을 기반으로 구축된 SiHP054N65E는 10V에서 0.051Ω의 낮은 일반 온 저항으로 인해 2kW를 초과하는 애플리케이션에 대해 더 높은 전력 정격을 제공하고 장치가 Open Compute Project의 Open Rack V3( ORV3) 표준. 또한 MOSFET은 최저 72nC의 초저 게이트 전하를 제공합니다. 결과적으로 3.67Ω*nC의 FOM은 동급에서 가장 가까운 경쟁 MOSFET보다 1.1% 낮습니다. 이는 전도 및 스위칭 손실을 줄여 에너지를 절약하고 효율성을 높이는 것을 의미합니다. 이를 통해 장치는 서버 전원 공급 장치의 특정 티타늄 효율 요구 사항을 해결하거나 통신 전원 공급 장치의 최대 효율 96%에 도달할 수 있습니다.

PFC, 하프 브리지, 2스위치 순방향 설계와 같은 하드 스위치 토폴로지에서 향상된 스위칭 성능을 위해 오늘 출시된 MOSFET은 115pF 및 772pF의 낮은 일반 유효 출력 정전 용량 Co(er) 및 Co(tr)를 제공합니다. 각기. 장치의 결과적인 저항 시간 Co(er) FOM은 업계 최저인 5.87Ω*pF입니다. TO-220AB 패키지로 제공되고 향상된 dv/dt 견고성을 제공하는 SiHP054N65E는 RoHS 규격을 준수하고 무할로겐이며 Vishay Green이며, 100% UIS 테스트를 통해 보장된 제한으로 애벌런치 모드에서 과전압 과도 현상을 견디도록 설계되었습니다.

SiHP054N65E의 샘플과 양산 수량은 현재 이용 가능하다. 리드타임 정보는 현지 영업소에 문의하세요.

Vishay는 자동차, 산업, 컴퓨팅, 소비자 가전, 통신, 군사, 항공우주 및 의료 시장의 혁신적인 설계에 필수적인 개별 반도체 및 수동 전자 부품으로 구성된 세계 최대 포트폴리오 중 하나를 제조합니다. 전 세계 고객에게 서비스를 제공하는 Vishay는기술의 DNA. ® Vishay Intertechnology, Inc.는 NYSE(VSH)에 상장된 Fortune 1,000대 기업입니다. Vishay에 대한 자세한 내용은 www.Vishay.com을 참조하세요.

기술의 DNA®은 Vishay Intertechnology의 등록 상표입니다.

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